快科技12月10日音问，尼康晓示，将于2024年1月厚爱推出ArF 193纳米浸没式光刻机“NSR-S636E”，坐蓐恶果、套刻精度皆会有进一步擢升。

据悉，尼康这款曝光机禁受增强型iAS筹划，可用于高精度测量、圆翘曲和畸变纠正，重迭精度(MMO)更高，堪称不跳跃2.1纳米。

区分率小于38纳米，镜头孔径1.35，曝光面积为26x33毫米。

对比现时型号，它的举座坐蓐恶果可提高10-15％，创下尼康光刻设立的新高，每小时可坐蓐280片晶圆，停机时刻也更短。

尼康还暗示，在不罢休坐蓐恶果的前提下，新光刻机可在需要高重迭精度的半导体制造中提供更高的性能，浙江省满意度调查公司尤其是先进逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造，堪称最好惩办决策。

另据了解，新光刻机的光源时刻是20世纪90年代就照旧熟习的“i-line”，再加上有关零件、时刻的熟习化，价钱将比竞品低廉20-30％傍边。

不外，现在尚不明晰尼康这款光刻机能制造若干纳米的芯片。

日本尼康、佳能与荷兰阿斯麦(ASML)也曾是光刻机三巨头，但因为点错了科技树，莫得跟上阿斯麦的193纳米浸没式光刻时刻，厚重没落，尤其是在EUV极紫外光刻时刻上毫无建立。

为了生涯，尼康、佳能基本淹没了对顶端光刻时刻的角逐，更专注于难度更低、价钱更低的熟习工艺光刻设立。

但他们也并非一无是处，比如佳能研发了纳米压印时刻(NIL)，无需EUV就能制造5纳米芯片。